芯片制造流程有哪些

簡單問題來說，處理器的制造發展過程進行大致我們可以主要分為企業很多研究步驟，如砂原料（應時）、硅錠、晶圓、光刻（光刻）、蝕刻、離子注入、金屬材料沉積、金屬層、互連、晶圓測試和切割、核心技術封裝、等級系統測試、封裝和上市等。，每個工作步驟都包含更詳細的過程。

1: 中央處理器(cpu)是一個非常大規模的集成系統電路，是計算機的計算核心和控制企業的核心。它的主要功能是解釋計算機操作指令，以及如何在技術計算機應用程序中處理數據，這是為數不多的我們還不能復制的東西之一。當然，cpu 的制造工藝也代表了世界經濟和技術創新的[敏感詞]水平。

2.硅是地殼中第二豐富的元素。沙子含有25%的硅，這是地殼中第二多的元素。氧化后，變成二氧化硅。沙子中的石英中二氧化硅含量很高，是制造半導體的基礎。

3: 在購買原砂后，將硅分離，多余的材料經過幾個步驟丟棄和凈化，以滿足半導體制造的質量要求。這叫做電子級硅。它的純度是如此之高，以至于每十億個硅原子中只有一個不符合要求。

4:電子級硅單晶，鑄錠后重約100 kg，硅純度達99.9999%。

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5: 鑄錠后進入切割設計階段，將整個鑄錠切割成圓盤的一部分，也就是我們所說的晶片，因此切割出來的晶片非常薄，然后對晶片進行拋光，直到它完美無缺，表面呈鏡面。

6.晶片上涂有藍色液體，這是一種類似于膠片攝影中使用的光刻膠。晶圓不停的旋轉，讓液體均勻的涂在晶圓上，對于我們改進鍍膜技術來說非常薄。

殺。用紫外線照射芯片。紫外線首先通過一個“擋板”與“模式”，阻擋了一些光，使其擊中芯片在一個特定的形狀。中間的鏡頭是用來把光聚焦在一個小的區域。當紫外線照射感光物質時，會發生類似膠片的化學反應，令感光物質溶解。事實上，擋板上的“圖案”實際上是芯片上“影印”微電路的版圖形狀。

8.晶體管技術相當于控制電流方向的開關。是晶體管CPU的基本結構組成單元。今天的工藝分析可以在針尖大小的區域生產30萬個晶體管。

9.曝光在通過紫外可見光下的光刻膠在光刻技術過程中可以溶解，清洗后留下的圖案與掩模上的圖案設計一致。然后進行光刻，沖洗掉露出的部分。

10: 重新應用藍光阻擋器(藍色) ，為下一步做好準備。圖像的藍色部分由攝影材料保護。

11.離子注入，也就是用離子轟擊暴露區域的硅片，通過離子沖擊注入改變這些區域的硅的電導率，需要離子以非常高的速度撞擊硅片表面，電場加速的離子速度可以達到每小時30萬公里。

12: 當離子被注入時，光致抗蝕劑層被去除，材料的綠色部分被并入后來的原子中。

13:這時，晶體管快完成了。晶體管的品紅色表面是一個絕緣層，上面有三個孔，將用來填充銅并與其他晶體管連接。

圖14。在將晶圓片放入硫酸銅混合溶液中的過程中，銅離子沉積到晶體管中稱為我國電鍍。游離銅離子進行分別可以進入晶圓片的正極（陽極）和負極（陰極）。

15: 磨掉多余的銅，留下一層非常薄的銅。

16.多金屬層是企業中各種晶體管的互聯。雖然通過電腦控制芯片工作看起來很平坦，但實際上可能有20層以上，形成一個復雜的電路。

圖17。在這一部分，準備晶圓進行[敏感詞]次功能測試，在這一階段進入每個單片芯片的測試模式，監視和比較芯片的響應，然后丟棄有缺陷的核心芯片。

18:把晶圓切成片，每一片中國都是這樣一個信息處理器的核心。

19:這是我們一個企業分離的核心，酷睿i7，它是從以前的工藝過程中切割出來的。

20. 堆棧和熔斷基板(基板針腳) ，核心，和鰭，以創造一個處理器，我們可以看到。

21:后，測試每個CPU。根據測試結果，將具有相同能力的處理器歸為一類，處理器的[敏感詞]工作頻率由等級決定，價格根據穩定性等規格設定。